ven的eun厂房，这里将为成为公司新总部所在。叶华通过台积电的实验室为新总部输送最新的光刻技术。

:1150i量产后没多久，首个193nm的浸入式系统 :1900i发布。这些创新的系统让客户可以生产更小尺寸的芯片，其特点是可以让光经过透镜组和晶圆之间的一层水实现投影。浸入式光刻技术全部从叶华的特斯拉数据库一次输出。在那之前，全球的半导体工业都为超越193nm光刻绞尽脑汁，但是先后失败。只有叶华提出的这个工程师相对简单的办法最后成功。从那以后，浸入式光刻一直做到如今的7nm。正是凭借浸入式光刻的突破，让一跃成为全球光刻机市场的大霸王。

接下来光刻机的竞争进入（极深紫外）时代。目前全球最先进的光刻工艺使用的是13nm光源，能够满足7nm线宽制程工艺的要求。全球能够达到这种水平的光刻机制造商暂时只有一家——叶华独家持有的。

为了市场垄断，叶华手下肯定不止有一个公司，后面还跟着多个马甲，例如马甲一——硅谷集团拥有关键的157nm光学技术，也因此得以长存米国市场；例如马甲二——领先的半导体设计和制造优化解决方案提供商，开启整体（olistic）光刻战略；例如首次发售支持实时测试纠正的ieldtar（250）系统，在整体光刻上更进一步。

6月初首次发售概念性的光刻系统:3100，客户是华技的的2012实验室，从而开启光刻系统的新时代。光刻采用更短波长的光来制造更小特征尺寸，更快也更强大的芯片。

同时叶青文在加州圣地亚哥成立光刻光源厂ymer，和合作，加快系统研发，7月份发售第二代系统:3300，第一批面向制造的系统开始批量发售给客户。在这个时候，进一步扩展整体光刻产品线，并购宝岛的另外一个小马甲公司，一家领先的电子束计量公司，并在一个后成功推出整合两家公司技术的efm5系统。在荷兰电子束光刻公司aer破产后，收购了其资产，还延揽了其研发人员。继续改进浸入式光刻技术，先后推出19701980i，这两款设备被叶华的半导体工业广泛部署。

纵观叶华输出的高科技和的发展故事，很多关门弟子可以看到，坚持分散投资，对新技术趋势的准确判断与把握，持续不断的研发投入，充足的资本保障是能在短短几年时间里从小到大，一跃成为全球光刻机行业龙头的关键要素。和同时起步，甚至更早的的光刻机却没有发展起来。和叶华的事业群对比
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